







EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術,通過分析入射電子束與樣品相互作用后產(chǎn)生的背散射電子的衍射花樣(菊池花樣),獲取樣品的晶體學信息。
其核心原理是布拉格衍射定律(2dsinθ=nλ),其中電子束波長λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定,不同晶體結(jié)構產(chǎn)生獨特的菊池花樣,通過與晶體學數(shù)據(jù)庫比對,可實現(xiàn)物相類型和分布、晶粒大小、晶界類型、晶體取向分析等功能。

| 項目概述
EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術,通過分析入射電子束與樣品相互作用后產(chǎn)生的背散射電子的衍射花樣(菊池花樣),獲取樣品的晶體學信息。其核心原理是布拉格衍射定律(2dsinθ=nλ),其中電子束波長λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定,不同晶體結(jié)構產(chǎn)生獨特的菊池花樣,通過與晶體學數(shù)據(jù)庫比對,可實現(xiàn)物相類型和分布、晶粒大小、晶界類型、晶體取向分析等功能。
| 測試目的
晶體取向分析
通過菊池花樣與標準晶體學數(shù)據(jù)匹配,計算晶體的取向角(如歐拉角或米勒指數(shù)),生成取向成像圖(OIM),直觀顯示晶粒的取向分布。
晶界類型
低角度晶界(LAGB):取向差<15°,通常代表亞晶界。
高角度晶界(HAGB):取向差>15°,通常代表真實晶界。
特殊晶界:如孿晶界(Σ3邊界)可通過計算重合位點格(CSL)識別。
相分析
通過圖案匹配確定每個像素點的相歸屬,生成相分布圖,直觀顯示相分布。
晶粒尺寸測量
通過晶界檢測結(jié)果,使用面積法或截線法計算晶粒尺寸,生成晶粒分布直方圖,并輸出平均晶粒大小和標準差。
織構分析
通過極圖(Pole Figure)或取向分布函數(shù)(ODF)表征晶粒取向的統(tǒng)計分布,揭示材料加工對微觀結(jié)構的影響。
應變分析
利用晶體取向和圖案質(zhì)量變化評估樣品中的應變或殘余應力分布。應變可通過晶界彎曲、取向梯度等特征定量分析,結(jié)合FWHM(全寬半高)或變形模式研究應力累積。
| 試驗標準
GB/T 36165金屬平均晶粒度的測定 電子背散射衍射(EBSD)法
ISO 23703微束分析.用電子背散射衍射(EBSD)評估奧氏體不銹鋼機械損傷的取向分析指南
YB/T 4677鋼中織構的測定 電子背散射衍射(EBSD)法
ASTM E2627-13 用電子背散射衍射技術(EBSD)測定充分再結(jié)晶多晶材料平均粒度的規(guī)程。
| 服務產(chǎn)品/領域
電子產(chǎn)品、金屬材料、陶瓷材料、半導體材料、礦物材料等。
| 美信優(yōu)勢
1、專業(yè)團隊:擁有多名經(jīng)驗豐富的檢測工程師和技術專家。
2、先進設備:配備國際領先的檢測設備,確保檢測結(jié)果的準確性和可靠性。
3、高效服務:快速響應客戶需求,提供PCB有害物質(zhì)全套檢測服務。
4、權威認證:實驗室通過ISO/IEC 17025認證,檢測報告具有國際公信力。